快科技12月29日音信，长鑫存储低调推出DDR5内存以来，更多内幕被挖掘出来，好音信亦然接连不断，致使第二代HBM2高带宽内存也有了紧要冲破。

据花旗银行的分析证实，长鑫当初在DDR4上的初期良品率独一20-30％，纯属后达到了90％。

收获于DDR4上的丰富教会，长鑫DDR5从一启动的良品率就有40％，当今肃肃在80％傍边，何况还在继续纠正，预测到来岁底不错栽培到90％傍边。

长鑫当今在合肥有两座内存工场，Fab 1主要坐褥DDR4，使用的是19nm工艺，每月产能约10万块晶圆。

Fab 2专注于DDR5，用的是17nm工艺，现时月产能大略5万块晶圆，还在捏续栽培中，预测到来岁可翻一番。

天然，三星、SK海力士等的DDR5内存还是升级到12nm工艺，是以长鑫仍有很大的栽培空间。

此外，长鑫还在汗漫鼓吹HBM高带宽内存，一方面栽培一代HBM的产能，另一方面二代HBM2还是得到紧要冲破，正在给客户送样，预测来岁年中可小领域量产。

固然三大原厂还是量产HBM3、HBM3E，并行将推出HBM4，但关于长鑫来说，能照看HBM2仍然是里程碑式的，关于国产化AI硬件的发展至关进犯，比如华为昇腾910系列加快器就依赖于HBM2。

凭据着手报谈，长鑫从本年第三季度就启动采购HBM2坐褥建设，尤其是需要更先进的封装技巧，触及TSV、KGSD等等。

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